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2018년04월23일 

중국 세 번째 유형 메모리 개발! 기존 USB보다 1만 배 빨라

인민망 한국어판 kr@people.cn
10:51, April 23, 2018
중국 세 번째 유형 메모리 개발! 기존 USB보다 1만 배 빨라
4월 11일 푸단(復旦)대학 마이크로 전자학원의 장웨이(張衛), 저우펑(周鵬) 교수 연구팀이 연구실에서 촬영한 단체사진 [촬영: 신화사 딩팅(丁汀) 기자]
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[인민망 한국어판 4월 23일] 최근 푸단(復旦)대학 마이크로 전자학원의 장웨이(張衛), 저우펑(周鵬) 교수 연구팀이 2차원 반도체 준 비휘발성 저장장치 프로토타입 및 세 번째 유형의 메모리 기술을 개발했다. 해당 기술의 입력 속도는 기존의 USB보다 1만 배 빠르고 자유롭게 데이터를 저장할 수 있다. 해당 기술은 국제 반도체 전하 메모리 기술에 존재하는 ‘입력 속도’와 ‘비휘발성’을 동시에 갖추기 힘든 문제를 해결했다. 관련 성과는 베이징(北京, 북경) 시간 4월 10일 네이처 나노테크놀로지(Nature Nanotechnology)에 실리기도 했다. (번역: 은진호)

원문 출처: 신화망(新華網)

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출처: 인민망 한국어판  |  (Web editor: 實習生, 王秋雨)

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