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中, ‘양자 이상 홀 효과’ 최초 발견…IT 혁명 앞당겨

17:20, April 12, 2013

[<인민일보> 04월 11일 01면] 칭화(淸華)대학교와 중국과학원 물리연구소는 10일 베이징에서 열린 합동 발표를 통해, 칭화대학교 쉐치쿤(薛其坤) 원사가 이끄는 칭화대학교 물리학과와 중국과학원 물리연구소 공동 연구팀이 최근 큰 연구 성과를 냈다고 발표했다. 자성이 섞인 위상 절연체 막에서 실험으로는 처음으로 양자 이상 홀 반응 관찰까지 성공한 것이다. 이번 성과는 얼마 전 중국과학원 물리연구소와 스탠퍼드 대학교 이론 연구팀의 예측을 증명한 것으로 앞으로 IT 혁명 구현을 앞당길 수 있을 뿐 아니라 소모량이 극히 적은 전자제품을 연구, 개발해 내는 데도 크게 일조할 것으로 기대된다.

컴퓨터 구동 과정에서 열량이 어떻게 발산되는지의 문제는 반도체 및 IT 산업 발전에 있어 줄곧 난제로 인식되어 오던 부분이다. 양자 이상 홀 반응에 대한 발견은 이 문제를 해결할 핵심적인 역할을 하면서 에너지 소모가 적은 고성능의 전자제품 기기 연구 개발에 쓰이게 될 것이다. 과학자들은 전자가 강한 자기장이 필요 없는 경우에서 고정적인 궤도 운동을 통해 전자들이 불규칙하게 부딪치면서 일어날 수 있는 발열과 에너지 소모를 감소시킬 수 있다며, 밀도 압축이 가능해지면서 슈퍼 컴퓨터들도 태블릿 PC 정도의 크기로 만들 수 있을 것이라고 설명했다.

이번 성과는 베이징 시간으로 3월 15일에 미국 <사이언스지>에 온라인으로 발표되었다.

자오어눠(趙婀娜) 기자

Print(Editor:轩颂、赵宇)

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